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Memória híbrida de Readyboost para telefones móveis

06.22.07 & quedas em| Armazenamento instantâneo

toshiba mobileLBA-NANDÉ hoje pouco lento na parte dianteira do USB assim que nós tomaremos um olhar mais atento em uma tecnologia instantânea nova de Toshiba. Ontem Toshiba anunciou uma tecnologia híbrida da memória Flash que devesse ser um grande impulso para a indústria do telefone móvel.

Atravessando ao longo do conceito de Readyboost, onde por você tenha duas fontes da memória trabalhar junto para realçar o desempenho, a ruptura Toshiba feito é um híbrido de duas tecnologias de memória atuais, de memória de SLC e de MLC.

Estão tão aqui as porcas.

A memória de uma só camada da pilha (SLC) é serida melhor armazenando a informação como programas e aplicações. A memória de SLC é projetada ser um executor rápido para tais 'dados do stored.

A multi memória nivelada da pilha (MLC) é serida melhor para os dados que estão sendo usados por programas e por aplicações. A memória de MLC tem uma relação de espaço físico melhor comparada a SLC e é assim melhor para armazenar o vídeo, as imagens e a música.

Até aqui, os desenhadores do telefone tiveram que fatorar o custo e o espaço para ter duas microplaquetas separadas de ambos os tipos em seus projetos, que conduziu a uns telefones mais grandes.

Com a microplaqueta nova de Toshiba, os desenhadores do telefone móvel têm agora uma escolha sobre quanto de cada tipo da memória precisam incorporado em seus telefones.

Toshiba reivindica sua arquitetura mais atrasada da memória-microplaqueta oferecerá a capacidade de memória mais elevada, ao permitir um telefone móvel mais compacto projeta. Grande - eu não sei sobre você mas há definitivamente uma limitação do tamanho a como pequeno um telefone deve ser embora no outro lado a tecnologia mobileLBA-NAND dê pelo menos 8GB do armazenamento. Mais atrasado disponível este verão aos fabricantes do telefone móvel, que significa outro seis meses ele baterá as ruas.

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